1、IGBT简介

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，IGBT则综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，它是目前世界上最优秀的电力电子功率开关器件，广泛用于调速器和变频调速等大功率电力电子设备中。

IGBT是电压型控制器件，具有输人阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点。关于结温的大小 IGBT模块的芯片最大额定结温是150℃，在任何工作条件下，都不允许超过，否则要发生热击穿而造成损坏，一般要留余地。在最恶劣条件下，结温限定在125℃以下，但芯片内结温监测有难度，所以都在散热器表面装有温控开关，其控制值在80～85℃之间，当达到此温度时，即因过热保护动作，从而自动停机，以确保IGBT的安全。也有用热敏电阻进行保护的。

2、IGBT元件符号、示意图及实物

IGBT的元件符号：

G（B）：栅级（控制极）     C：集电极     E：发射极

3、IGBT好坏的判断

3.1  首先将控制端G、E用铜线短接，用500型万用表欧姆档测量，黑表笔（电表内接电池正极）接C极，红表笔接E接，表针应不动。然后，黑、红表笔对调测量，表针偏转较大（用×1Ω档时，10～20Ω），然后拆掉铜线，测量控制端，若正反向都不通时，即初步判断IGBT正常。

3.2  将万用表×10K档（内接有9V电池）黑表笔接G，红表笔接E，即在控制端加正向电压，再将黑表笔移接C，此时万用表读数很小。然后将红表笔接G，黑表笔接E，即在控制端加反向电压，再将黑表笔接C，红表笔接E，此时万用表读数为无穷大，则证明该IGBT控制特性正常。否则，则不正常。

3.3 用万用表X10K档测试IGBT的g、c、e对底板的绝缘电阻，万用表指针应不动，即为无穷大时为正常。否则，则不正常。